近期,华芯微电子(珠海)有限公司正式宣布,其首条6寸砷化镓晶圆生产线已成功调通,并顺利产出首片6寸、2微米工艺的砷化镓HBT晶圆。
这一重要成就标志着华芯微电子在化合物半导体技术领域的重大突破,为未来的规模化生产奠定了坚实的基础。该生产线是华芯微电子在珠海高新区建设的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地的关键部分,得到了广东省、珠海市及珠海高新区政府,以及众多合作伙伴的鼎力支持。
通过与格力集团等设计、建设单位的紧密合作,项目仅用184天即完成主体封顶,180天完成设备迁入与安装,90天内实现设备调试与生产线通线,展现了惊人的建设效率与执行力。此次生产的6寸砷化镓HBT晶圆,具备高增益与高效能特点,适用于5G Phase 7/8手机功率放大器模组及Wi-Fi 6/7等设备,进一步丰富了华芯微电子的产品线,并在中国射频芯片国产化进程中树立了新的标杆。
作为华芯(珠海)半导体有限公司的子公司,华芯微电子专注于化合物半导体晶圆代工,旨在成为全球射频晶圆代工领域的领导者。公司面向手机、Wi-Fi路由器、基站、卫星通讯、雷达等高中低频射频应用终端市场,提供高品质的化合物半导体晶圆代工服务。格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目,以技术创新为核心,致力于构建国际领先的化合物半导体工艺平台。
通过提供高品质、高良率的制程技术,华芯微电子助力国内企业加速射频芯片的国产化进程,推动射频科技的自主发展。母公司华芯(珠海)半导体有限公司在光芯片领域的领先地位,特别是在数通VCSEL芯片市场的卓越表现,为华芯微电子在化合物半导体领域的全面发展提供了强有力的支持。
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