2017年7月4日，成都——近日，科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技(以下简称：赛默飞)亮相成都第 24 届国际集成电路物理与失效分析研讨会 (IPFA 2017)，并发布三款用于半导体失效分析工作流程的全新产品，旨在帮助半导体故障分析实验室提升处理样品和获取数据的效率，为寻求快速、高质量的电性和物理失效分析的半导体制造商提供创新解决方案。

　　新型 Helios G4 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统可对各类半导体器件进行逆向剥层处理，并提供超高分辨率扫描电子显微镜 (SEM) 分析。新型 flexProber 纳米探针量测系统可用于快速电性失效分析的应用。它能对半导体晶片在互连导线和晶体管级别上的故障位置，做出准确的定位。新型 Themis S 透射电子显微镜 (TEM)用在最具挑战性的半导体器件上，可提供原子级分辨率的成像和高产率的元素分析。

　　“作为科学服务领域的世界领导者，赛默飞始终立于世界科学发展的前沿，以强大的技术创新领导力，为全球用户提供先进科学服务产品。”赛默飞中国区总裁江志成(Gianluca Pettiti)先生表示：“目前中国的半导体市场充满机遇与挑战，提升产品性能与效率是产业的发展重点。赛默飞始终聚焦中国的科研需求、与本地客户密切协作，致力于帮助客户提高实验室效率，践行我们的本地化承诺。”

　　“半导体市场不断地快速发展，内存、代工、物联网 (IoT)、先进封装和显示屏市场领域都呈现出强劲的增长”，赛默飞材料与结构分析部亚洲区副总裁荆亦仁阐述道：“这一发展带动了人们对快速、高质量电性和物理失效分析需求的提升。这些新的产品将为我们现有的失效分析解决方案增添新的功能，并提高了机动性”。

　　Helios G4 等离子聚焦离子束系统是赛默飞最新一代的双束显微镜。它具有从快速剥层、扫描电子显微镜截面成像到透射电子显微镜样品制备在内的多种功能。半导体剥层技术在 14 nm 以下技术节点器件上的缺陷定位应用变得越来越重要。等离子聚焦离子束搭配Dx 化学气体可用于均匀展露金属层，使赛默飞的纳米探针测量系统能够进行电性故障的定位与分析。

　　赛默飞新型 Helios G4 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统

　　Helios G4 等离子聚焦离子束系统可支持 7 nm 技术节点以下器件的逆向剥层处理并提供自动终点检测，以在指定的金属层或通过层显露时自动停止蚀刻。它提供比传统 (Ga+) 聚焦离子束系统快 10 到 20 倍的蚀刻速率，使客户能够为纳米探针测量系统、透射电子显微镜以及扫描电子显微镜制备更大面积的样品，并可广泛地应用于先进 (2.5D) 封装、发光二极管 (LED)、显示屏以及微电子机械系统 (MEMS) 。

　　新型 flexProber 系统旨在帮助客户对电性失效做出快速定位，并利用低电压扫描电子显微镜来引导精密机械探针到故障电路元件上。准确定位有助于提高后续分析的效率和成本的效益，确保由此定位而制取的透射电镜样品包含了故障区域。专为探针设计的flexProber 系统的扫描电镜，与其前代产品 nProber II 相比分辨率提升了 2 倍。它融入了赛默飞高端纳米探针量测系统的许多功能，适用于广泛的半导体器件类型和不同的制程技术。它提供了入门级配置，同时保留了未来升级到完整纳米探针测量系统的可能性。

　　赛默飞新型 flexProber 纳米探针量测系统

　　Themis S 系统是赛默飞行业标准 Themis 系列透射电镜的最新成员。以为20 nm 技术节点以下的半导体器件失效分析为目的，Themis S 系统旨在提供大规模的半导体图像和分析数据，同时Themis S还包括了集成的隔振护罩和完整的远程操作功能。球差矫正器、80-200kV 镜筒、自动对中、XFEG 电子枪和 DualX X 射线能谱仪提供了强大的亚埃级成像能力和快速、准确的元素和应力分析功能。

　　赛默飞新型 Themis S 透射电子显微镜 (TEM)

　　“我们客户的半导体器件多种多样，从最先进的 7 到20 nm节点的内存和逻辑器件，到在智能手机和物联网等产品中仍占据重要地位的成熟技术的器件”，荆亦仁表示：“我们的失效分析工具系列可满足不同半导体客户的各种需求。我们期待在中国 IPFA 会议上，与我们的客户面对面探讨我们将如何满足半导体领域不断增长的需求。”