高性能荧光能谱仪
在材料的成分分析中，荧光能谱仪具有重要的作用，ARL QUANT’X高效荧光能谱仪以其独特的技术特点，灵活的方法开发，极低的运行、维护成本等，成为材料分析领域的理想工具。
ARL QUANT'X荧光能谱仪特点
端窗发射技术
采用端窗高效发射X-光管技术，最大限度地提高X-射线的发射强度，比侧窗发射提高10%；采用高稳定性技术，光管的优质工艺技术使X-光管寿命大大提高；采用了对高压电源控制发射技术，避免了通常的X-光管使用光闸方式，较一般X-光管的寿命提高3~5倍。
多滤光片技术
采用8位自动控制的滤光片技术，可根据用户分析的样品中元素数量和原子序数位置，设定最佳匹配的滤光片, 以获得最大效率的激发，有效抑制和降低韧致散射造成的背底。
半导体差温制冷技术
采用高灵敏度，高效采集Si（Li）晶体电制冷探测器技术，这是Thermo 独家的专利技术；使用成熟的半导体差温制冷技术，可获得与液氮相同效果的理想的低温，而免除用户日后定期加注液氮可能发生的危险, 免除仪器使用和日常维护的费用；采用Si（Li）避免了Si Pin 晶体的分辨率差，不能分析相邻元素的问题，也可以避免SDD晶体因10KeV 以上高能荧光的接收效率低下问题。
全数字脉冲处理器技术
具有高通量快速处理信号 1000000/cps的能力，容许死时间高达60％，并可以有效抑制本底噪声。
多条件优化采集不同元素
用户可根据元素的数量和原子序数情况，进行多条件设置，以选择不同的滤光片，电压，电流，优化各段元素的采谱条件，可一次分析多达48个元素以上。拥有8位自动滤光片技术，根据被分析元素的能量范围，自动选取最佳匹配的滤光片。拥有同时选择最多8个分析条件建立多元素（从F－U）的分析方法。不同电压和滤光片组合多达684种，为用户分析不同基体材料提供多种优化条件选择。管电压 1~50KV 每1KV 为一档，用户可根据分析要求任意选择管电流：0.02~2mA 每0.02mA 为一档，用户可根据采集死时间要求任意选择, 也可以选“自动”。
先进的分析软件
定性分析：快速一键自动完成各种元素的鉴别；定量分析：不仅有使用标样的高精度的强度曲线方法，而且有完全无标样基本参数法技术的高级FP算式，可用于任何数量的元素和激发条件，此分析技术能对化合物化学计算。可根据元素间的影响，制定浓度，强度及化合物校正。此分析技术已经用于分析最困难的和不可预见的样品。误差范围小于1%~3%。该技术包括：少标样分析技术，单标样分析技术，不类似标样分析技术和纯元素标样分析技术。
完全无标样镀层测厚和超薄薄膜测厚分析技术，是ARLQUANT’X 又一有特色的应用。它是高精度的厚度分析，可满足半导体材料生产中各种元素薄膜的测量，从1纳米到几十微米的厚度测量分析，误差小于10%。分析可多达6层。分析镀层元素范围从Na-U。它不仅可分析单一元素镀层，也可以分析二元或多元合金镀层。
使用UniQuant分析系统，它与任何其他FP分析不同，UniQuant方法使用全部8位滤光片条件，收集从F-U全部可能存在的元素的全部发射谱线，样品完整的全谱文件，使得UniQuant能对所有可能的谱重叠和本底影响作出校正；可在完全无标样的条件下分析全部元素；分析过程中可以不必添加可能的分析项；每个样品独有的物理性质，如面积，厚度，质量，都包括在计算中；X-光管发射的漂移用提供的监测样校正；有多种报告格式供使用者选择；UniQuant 在仪器出厂前经过工厂预校正，可立即分析样品。
无损分析
为了满足用户对各种可能样品的分析，需要QUANT’X提供一个超大样品室, 和多种自动进样器选购件。模块式的设计使得这些部件的添加或除去非常方便。荧光能谱仪具有无损分析的特点，但是往往因为仪器的样品室不够大，致使用户不得不破坏样品。因此，足够大的样品室，是无损分析的前提条件。QUANT’X 仪器的样品仓，可实现真空、充氦、大气三种分析条件，可无损分析超大样品 长40cm , 宽30cm 高6~40cm 的样品。分析点光斑：1~10 mm 直径准直器可选，配有CCD 观察小区域样品。
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